半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出適用於多款直流有刷馬達的通用馬達驅動器IC「BD60210FV」（20V耐壓，雙通道）和「BD64950EFJ」（40V耐壓，單通道），新產品適用於冰箱、空調等，包含大型家電在內的消費性電子以及工業設備領域。 近年來從大型家電等消費性電子到工業設備領域，
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出實現業界頂級SOA*1範圍的100V耐壓功率MOSFET「RS7P200BM」。該款產品採用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封裝，非常適用於48V電源AI伺服器的熱插拔電路*2，以及需要電池保護的工業設備電源等應用。 RS7P200BM採用小型DF
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET「SCT40xxDLL」系列產品。與同等耐壓和導通電阻的傳統封裝產品（TO-263-7L）相比，散熱性提升約39%，雖然兼具小型化及薄型化，卻能支援大功率。該產品非常適用於功率密度日益提高
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）與德國大型汽車零件供應商Schaeffler（總部位於德國Herzogenaurach，以下稱Schaeffler）宣佈，作為戰略合作夥伴關係的重要里程碑，Schaeffler開始量產針對中國大型汽車製造商所設計、搭載ROHM SiC（碳化矽）MOSFET裸
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對汽車照明、汽車門鎖、電動車窗等正逐步採用Zone ECU*1的車身相關應用，推出6款不同導通電阻的高側*2（智慧功率元件）「BV1HBxxx系列」，非常適合保護系統免於功率輸入過大等影響。全系列產品均符合AEC-Q100車規標準，滿足車載產品嚴苛的可靠性
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出新的參考設計「REF67004」，該設計可透過單個微控制器控制廣泛應用於消費性電子和工業設備電源的兩種轉換器—電流臨界模式PFC（Power Factor Correction）*1和準諧振返馳式*2轉換器。透過將ROHM的優勢—由Si MOSFET等功
1.簡介 氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）的帶隙比矽（Si）寬，具有多個優勢，包括擊穿電壓、熱導率和電子飽和速度，使其在需要高溫、高電流、高電壓和高頻操作的半導體應用中理想化。雖然SiC在高電壓、高電流操作方面表現優越，但GaN在100V到600V的中等電壓範圍內提供更優越的擊穿場強和電子遷移率，
ROHM SiC MOSFET導入TOYOTA全新電動車「bZ5」 應用於牽引逆變器 助力延長續航里程並提升性能 搭載半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組，已導入TOYOTA MOTOR CORPORATION.（以下稱 TOYOTA）針對中國市場的全
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）與領先業界的車規晶片企業芯馳科技，針對智慧座艙聯合開發參考設計「REF68003」。該參考設計主要包含芯馳科技的智慧座艙SoC*1「X9SP」產品，其中配備了ROHM的PMIC*2產品，並展示於2025年上海車展芯馳科技攤位。 右三：芯馳科技 創始人 仇雨菁
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出全新SPICE模型「ROHM Level 3 (L3)」，大幅提升了收斂性和模擬速度。 功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響，因此在設計階段的模擬驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型「ROHM Level
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