AI Server、数据中心与工业电源正快速推升「高功率密度」与「高效率」的设计门坎。面对更严格的能效要求与更紧凑的系统空间，功率组件的选型与拓扑设计，将成为产品效能的关键分水岭。
本次研讨会由大联大诠鼎集团携手东芝（Toshiba），分享东芝在硅基低压/高压MOSFET与SiC MOSFET的最新产品更新、应用重点与后续技术演进方向，并结合高功率应用的Reference Design，协助工程团队更快落地、有效缩短开发时程！
研讨会亮点一次看
．硅基半导体与SiC Device 最新产品规划与效能解析：掌握东芝现阶段产品策略与关键性能优势。
．对准AI Server趋势的设计思维更新：因应高功率密度需求，分享东芝对未来产品设计理念的优化方向与发想。
．LV/HV MOSFET 最新世代与下一世代蓝图：涵盖低压与高压MOS的最新进度、下一世代设计优化重点与产品Roadmap。
．SiC MOS 下一世代Trench Gate 架构与竞品比较：深入介绍设计概念、后续产品规划蓝图，并提供与竞争对手的测试效能比较。
．高功率应用 Reference Design 分享：提供东芝在相关应用上的设计数据，协助你提升研发效率、加速产品开发。
立即报名参加，掌握东芝硅基与SiC功率组件最新蓝图！
