英飞凌的抗辐射半导体在NASA的阿尔忒弥斯II号（Artemis II）猎户座（Orion）飞船中，在为期十天的太空任务中表现出色。
自20世纪70年代以来，英飞凌的抗辐射技术在数百次太空任务中证明了其可靠性。
通过全球首款获得JANS认证且为内部制造的抗辐射氮化镓（GaN）晶体管，英飞凌为航天半导体树立了标杆。
美国国家航空航天局（NASA）的阿尔忒弥斯二号（Artemis II）任务在完成为期十天的太空飞行后成功返回地球。本次任务不仅实现了绕月飞行，还创下了载人飞船距离地球最远的飞行纪录。四名宇航员安全返回地球，再次证明了英飞凌科技股份有限公司的抗辐射（rad-hard）半导体解决方案即使在最极端的太空环境下，依然表现出稳定可靠的性能。从关键的电源供应与控制系统到数据通信，英飞凌旗下IR HiRel部门提供的抗辐射元件，已成为猎户座飞船（Orion）电子系统的核心支柱之一。
英飞凌IR HiRel的抗辐射半导体技术为猎户座飞船核心的电子系统提供支持。© NASA
英飞凌电源与感测系统事业部资深副总裁兼IR HiRel总经理Mike Mills表示：“太空计划需要能够支持长达数十年的技术与合作伙伴。我们很自豪能够再次为历史性的太空任务作出贡献。太空产业正在快速发展：更多的任务、更大量的数据，以及更高程度的电气化，但同时也面临着尺寸、重量和功耗的严苛挑战。在这样的背景下，半导体技术已逐渐成为太空探索的核心支柱。英飞凌元件在阿提米丝二号任务中，从第一分钟起就完美运行直到任务结束，这并非偶然，而是数十年工程专业积累、最先进的认证流程，以及对半导体在太空应用性能需求的深刻洞察共同促成的成果。”
阿尔忒弥斯二号任务标志着英飞凌多年来在太空领域取得的突破性成就。早在20世纪70年代，英飞凌的前身公司就为NASA和ESA（欧洲航天局）的任务提供了首批抗辐射元器件。此后，英飞凌IR HiRel为包括导航卫星、国际空间站（ISS）以及如今的阿尔忒弥斯计划在内的数百项太空任务提供了支持。这些抗辐射元器件经受住了超过200亿公里的太空飞行考验，这一距离远超任何其他人造物体。作为该领域的技术先驱，英飞凌将持续投资、开发并生产最卓越的抗辐射半导体，以满足全球太空应用设计社区的需求。
太空环境对半导体的要求极高。在地球磁场保护范围之外，高能粒子会毫无阻碍地冲击电子元件，可能导致永久性损坏或摧毁元件，从而引发任务失败。英飞凌的抗辐射技术并不是通过被动屏障实现的，而是在半导体架构设计阶段就具备抗辐射能力，以应对这一挑战。所有产品均符合最严格的国际航天标准认证，包括MIL-PRF-38535 Class V、MIL-PRF-19500、ESA的ESCC标准以及NASA的EEE-INST-002，确保其性能的可靠性。
在英飞凌，创新涵盖了从系统层级的开发，例如：半导体技术、抗辐射验证以及封装技术的协同运作。经过优化的整体系统不仅影响电气性能，还能提升散热表现和长期可靠性，同时大幅减少重量和体积。对于太空任务来说，每一克重量都至关重要，而英飞凌的抗辐射元器件在系统层级提供了关键优势。
宽禁带技术：GaN的创新突破
英飞凌也正在推动新型半导体材料在太空应用的发展。氮化镓（GaN）器件能够有效降低开关损耗，提高功率密度和开关频率，从而减少能源损耗以及对磁性元件的需求，进一步实现重量减轻。凭借内部制造能力以及由此带来的工艺和质量稳定性，英飞凌获奖的抗辐射100V GaN晶体管，按照MIL-PRF-19500标准通过了JANS认证，将GaN从概念转化为能够满足严苛太空任务的可靠技术。英飞凌的JANS认证器件是市场上首款也是唯一一款内部制造的抗辐射GaN晶体管。
英飞凌提供广泛的抗辐射产品组合，涵盖硅功率MOSFET、氮化镓晶体管、栅极驱动器与固态继电器，此外还包括抗辐射存储器与射频（RF）元件。凭借内部辐射测试能力以及长期产品供应保障，英飞凌不仅是一家元器件供应商，更是为整个航天产业提供战略技术支持的合作伙伴。
关于英飞凌
英飞凌科技股份有限公司是全球电源系统及物联网领域半导体的领导者，凭借其产品和解决方案推动低碳化和数字化。英飞凌在全球拥有约57,000名员工，2025财年（截至9月底）公司营收约为147亿欧元。
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