全球电源系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列进一步扩展了其CoolGaN™产品组合。四款新产品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半桥配置，并集成了两个600V氮化镓（GaN）开关，配备高低侧栅极驱动器和自举二极管，提供紧凑且散热优化的功率级，进一步降低设计复杂度。通过将众多关键功能集成到一个优化封装中，该系列减少了外部元件数量，缓解了快速开关型GaN器件常见的PCB布局难题，帮助设计人员缩短开发周期，同时实现了GaN技术的核心优势：更高的开关频率、更低的开关和导通损耗，以及更高的功率密度。
英飞凌CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列通过集成式半桥解决方案，进一步提升了氮化镓的易用性。
英飞凌氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“GaN正在改变电力转换领域。英飞凌的使命是通过可扩展且易于使用的解决方案，帮助客户充分实现这一变革。此次新推出的集成式解决方案集高速GaN性能、高集成度和可靠性于一体，能够帮助设计人员加快开发进程、缩小系统体积，并提升效率，突破紧凑型电力电子产品的极限。”
该集成式半桥解决方案专为低功耗电机驱动系统和开关电源设计，可在空间有限的设计中实现更小的磁性元件和被动元件，并在各种运行条件下保持高效率和优异的动态性能。该器件专为高速精密系统设计，能够实现超快速切换，传播延迟仅为98纳秒，且偏差极小，有效支持高频率运行，同时保持可预测的时序表现。为简化系统集成，该解决方案支持兼容标准逻辑电平的PWM输入，仅需单一12V栅极驱动供电即可运行。同时，具备快速UVLO恢复功能，有助于确保启动及电源瞬态事件中的稳定表现。为获得出色的散热性能，该产品采用6×8 mm² TFLGA-27裸露焊盘封装，可在众多应用场景中实现高效散热，并支持大多数应用中无需散热片的设计。
这些全新解决方案融合了英飞凌成熟的CoolGaN™器件技术、系统级集成能力，以及深厚的电源转换专业知识，进一步巩固了英飞凌在GaN市场的领先地位，使客户能够更加轻松地采用GaN技术，并在工业和消费电子平台上实现高效设计的规模化应用。
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关于英飞凌
英飞凌科技股份有限公司是全球电源系统及物联网领域半导体的领导者，通过其产品和解决方案推动低碳化和数字化。英飞凌在全球拥有约57,000名员工，2025财年（截至9月底），公司营收约为147亿欧元。
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