随着现在市场上电动车车灯市场的竞争日益激烈，对于控制板上功率器件的小型化对耗散功率的限制也越来越大，针对市场的动向，英飞凌推出了车灯驱动芯片TLD6099-2ES以及配套的GaN芯片IGB110S10S1Q。
GaN作为第三代材料在功率半导体的应用已经非常广泛，在消费级领域的应用已经非常成熟，英飞凌将其带入了汽车的应用中，为行业带来了新的选择。与传统的硅MOS相比较，GaN具有极低的驱动电荷Qg以及极短的开启/关断时间，这意味着GaN可以适应更高的开管频率、具有更小的开光损耗，可以让系统的驱动频率从原有的500KHz提升至2.2MHz，因为频率的增加，在拓扑中，我们可以选择更小封装的功率电感以及更小的电容容量。由于封装的减小，对应可以节省PCB的面积，能够设计出更小的驱动板。
TLD6099-2ES芯片
特性
- 独立的双通道器件。
- 宽输入电压（高达58V）和输出电压（高达70V）
- 开关频率范围从 100 kHz 到 500 kHz 和 2.2 MHz
- EMC 优化器件
- 模拟输出调节（模拟调光）
- 过压、对地短路、过流、开路反馈和过温诊断输出
- 用于自适应输出放电的 NMOS 栅极驱动器
- LED 电流精度 ±3.5%（未应用模拟调光）
描述：
TLD6099-2ES是一款双通道多拓扑 DC/DC 控制器，专为LED应用而设计，具有内置保护功能，以实现紧凑的 LED 驱动器。
双通道产生的输出电流是独立的，它们通过峰值电流控制环路来进行调节。内部斜率补偿被用于避免在高占空比（例如高于50%）下发生次谐振振荡。
在整个工作温度范围内，电流精度优于3.5%（未使用模拟调光情况下）。轨到轨电流采样放大器为拓扑选择提供了灵活性，可以为超过 20 个白光LED （输出电压高达 70 V）的LED组串式供电。
开关频率可以通过使用外部电阻器在 100 kHz 至 500 kHz 之间调整或固定为 2.2 MHz。还可以与外部时钟同步。该器件还集成了一个展频调制器，以便于满足电磁辐射标准。
TLD6099-2ES的每个通道都可以驱动一个外部NMOS，对输出电容进行快速放电。这种特性有助于管理由于轻量级功能交换场景而导致的快速负载变化。 典型的用户案例是从近光灯切换到远光灯或使用矩阵管理器驾驶自适应驾驶光束。
每个通道有两个调光源：
- 模拟输出调整通过调整基准电压来降低输出电流
- 数字调光通过调节输出电流来降低LED亮度
适用应用：
前灯模块、动画灯光、自适应远光灯
方案框图：
样板图片：
