-四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度-
中国上海—东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和 “TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET 技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。
四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连结。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备中的功率损耗。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
测量条件：VDD＝400V，VGS＝18V／0V，ID＝20A，Ta＝25°C，L＝100μH，Rg (外部栅极电阻) ＝4.7Ω
续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。（截至2025年5月，东芝对比结果）
图1 TO-247与DFN8x8封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较
注：
[1] 截至2025年5月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 一种信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。
[4] 截至2025年5月，东芝测量值。请参考图1。
[5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的650V东芝第3代SiC MOSFET。
应用
服务器、数据中心、通信设备等的开关电源
电动汽车充电站
光伏逆变器
不间断电源
特性
DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗。
东芝第3代SiC MOSFET
通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
低漏源导通电阻×栅漏电荷
低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25°C）
Q1：东芝新推出的最新650V碳化硅（SiC）MOSFET产品是哪些？
A1：东芝新推出的四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和 “TW123V65C。
Q2：东芝新推出的最新650V碳化硅（SiC）MOSFET产品的优点有哪些？
A2：最新650V碳化硅（SiC）MOSFET产品配备其最新的第3代SiC MOSFET 技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。
Q3：东芝新推出的最新650V碳化硅（SiC）MOSFET产品是什么封装的？
A3：四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。
Q4：东芝新推出的最新650V碳化硅（SiC）MOSFET产品有什么特性？
A4：东芝新推出的最新650V碳化硅（SiC）MOSFET特性：
- DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗。
- 东芝第3代SiC MOSFET
- 通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷
- 低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
Q5：东芝新推出的最新650V碳化硅（SiC）MOSFET产品应用于哪些方面？
A5：东芝新推出的最新650V碳化硅（SiC）MOSFET产品应用于
- 服务器、数据中心、通信设备等的开关电源
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源