600 V超结结构N沟道功率MOSFET DTMOSⅥ系列“TK024N60Z1”提高了电源效率

        东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出一款N沟道功率MOSFET“TK024N60Z1”。该产品利用了DTMOSⅥ 600 V系列的工艺，并且具有超结结构。该器件适用于数据中心的服务器、工业设备的开关电源（SMPS）以及光电发生器的功率调节器。

       近年来，为了提高电源电路的效率，对低导通电阻产品的需求不断增加。为满足这种需求，东芝专门开发了该产品。TK024N60Z1实现了0.024 Ω（最大值）的漏源导通电阻，成为DTMOSⅥ 600 V系列中导通电阻最低的产品[1]，并降低了导通损耗。这提高了电源效率，减少了热量的产生。

       此外，该产品采用TO-247封装，可实现多重散热，且散热性能高。

       通过优化栅极设计和工艺，DTMOSⅥ 600 V系列（包括新产品），与东芝传统DTMOSIV-H系列产品相比，在相同额定漏源电压时，单位面积的漏源导通电阻值降低了约13 %，漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积（MOSFET性能的品质因数）降低了约52 %。此外，东芝还提供各种工具，用于支持开关电源（SMPS）的电路设计。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供可以准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

       东芝将继续扩大DTMOSⅥ系列产品线，并通过降低开关电源（SMPS）的功率损耗来支持节能。

注：
[1]截止2025年1月的东芝调研。

特点

1. DTMOSⅥ系列的最小导通电阻（0.024 Ω（最大值）（VGS＝10 V））
    

2. 低RDS(ON)×Qgd（漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积）支持开关电源（SMPS）的高效率

特性说明

1.DTMOSⅥ系列的最小导通电阻（0.024 Ω（最大值） （VGS＝10 V））

在DTMOSⅥ系列中，TK024N60Z1实现了最低的导通电阻（0.024 Ω（最大值）（VGS＝10 V））， 将导通损耗最小化，从而帮助提高电源效率。
 

电源电路示例  

2.低RDS(ON)×Qgd（漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积）以及开关电源（SMPS）的高效率

        通过优化栅极设计和工艺，DTMOSⅥ 600 V系列（包括新产品），与东芝传统DTMOSIV-H系列产品相比，在相同额定漏源电压时，单位面积的漏源导通电阻值降低了约13 %，漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积（MOSFET性能的品质因数）降低了约52 %。
 

        这意味着DTMOSⅥ系列在导通损耗与开关损耗之间实现了更佳的权衡，有助于提高开关电源（SMPS）的效率。

漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积RDS(ON)×Qgd特性曲线[2]

注：
[2]上述数值均由东芝测量。

应用

• 开关电源（数据中心服务器等）

• 光电发生器的功率调节器

• 不间断电源（UPS）

主要规格

Q1：东芝新推出600 V超结结构N沟道功率MOSFET产品有哪些？

A1：东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出一款600 V超结结构N沟道功率MOSFET“TK024N60Z1”。
 

Q2：东芝新推出600 V超结结构N沟道功率MOSFET产品的优点有哪些？

A2： 该产品利用了DTMOSⅥ 600 V系列的工艺，并且具有超结结构，实现了0.024 Ω（最大值）的漏源导通电阻，成为DTMOSⅥ 600 V系列中导通电阻最低的产品，并降低了导通损耗。这提高了电源效率，减少了热量的产生。

Q3：东芝新推出600 V超结结构N沟道功率MOSFET产品是什么封装的？

A3：TK024N60Z1采用TO-247封装，可实现多重散热，且散热性能高。。
 

Q4：东芝新推出600 V超结结构N沟道功率MOSFET产品有什么特性？

A4：1.DTMOSⅥ系列的最小导通电阻（0.024 Ω（最大值） （VGS＝10 V）），2.低RDS(ON)×Qgd（漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积）以及开关电源（SMPS）的高效率。
 

Q5：东芝新推出600 V超结结构N沟道功率MOSFET产品应用于哪些方面？

A5：东芝新推出600 V超结结构N沟道功率MOSFET产品应用于（1）开关电源（数据中心服务器等）、（2）光电发生器的功率调节器、（3）不间断电源（UPS）等。